Kit 5 peças - Transistor Mosfet SI2319CDS-T1-GE3 SMD SOT-23

Part Number: SI2319CDS-T1-GE3

Fabricante: Vishay

Categoria de Produto: MOSFET

RoHS: Detalhes

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: SMD / SMT

Embalagem / Caixa: SOT-23-3

Polaridade do transistor: Canal P

Número de canais: 1 canal

Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 40 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 4,4 A

Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 77 mOhms

Vgs - Tensão da fonte de porta: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Tensão Limiar Gate-Source: 1,2 V

Qg - Taxa de Portão: 21 nC

Temperatura Mínima de Operação: - 55 C

Temperatura Máxima de Operação: + 150 C

Pd - Dissipação de energia: 2,5 W

Modo de canal: Aprimoramento

Nome comercial: TrenchFET

Embalagem: Cut Tape

Embalagem: MouseReel

Embalagem: Carretel

Configuração: Single

Altura: 1,45 mm

Comprimento: 2,9 mm

Series: SI2

Tipo de transistor: 1 canal P

Largura: 1,6 mm

Marca: Vishay Semiconductors

Transcondutância direta - Min: 10 S

Tempo de outono: 8 ns

Tipo de Produto: MOSFET

Tempo de subida: 9 ns

Quantidade do pacote de fábrica: 3000

Subcategoria: MOSFETs

Tempo de atraso típico para desligar: 20 ns

Tempo de atraso típico para ligar: 8 ns

Datasheet: https://www.mouser.com/datasheet/2/427/si2319cd-1764617.pdf

* 1 Unidade selecionada refere-se a 5 peças do Transistor.

* Despacho do material no próximo dia útil após a compra.

* Todos materiais anunciados em estoque, a pronta entrega.

Tags: CI - CIRCUITO INTEGRADO - SI 2319CDS T1 - 2319CDS - SI2319 - 2319CDS-T1 - 2319