Simulador de Frete
- Calcular fretePartnumber: NTB45N06T4G
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-263-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 45 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 26 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 46 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: +175 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Cut Tape
Embalagem: Reel
Configuração: Single
Altura: 4.83 mm
Comprimento: 10.29 mm
Série: NTB45N06
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Largura: 9.65 mm
Marca: onsemi
Transcondutância em avanço - Mín: 16.6 S
Tempo de queda: 106 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 101 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 33 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 10 ns
Peso unitário: 4 g
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