Transistor Mosfet SI2318DS-T1-E3 SMD SOT-23 40V 6A

Transistor Mosfet SI2318DS-T1-E3

Part Number: SI2318DS-T1-E3

Fabricante: Vishay

Categoria de Produto: MOSFET

RoHS: Detalhes

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: SMD / SMT

Embalagem / Caixa: SOT-23-3

Polaridade do transistor: Canal N

Número de canais: 1 canal

Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 40 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 3,9 A

Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 45 mOhms

Vgs - Tensão da fonte de porta: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Tensão Limiar Gate-Source: 1 V

Qg - Taxa de Portão: 15 nC

Temperatura Mínima de Operação: - 55 C

Temperatura Máxima de Operação: + 150 C

Pd - Dissipação de energia: 1,25 W

Modo de canal: Aprimoramento

Nome comercial: TrenchFET

Configuração: Single

Altura: 1,45 mm

Comprimento: 2,9 mm

Series: SI2

Tipo de transistor: 1 canal N

Largura: 1,6 mm

Marca: Vishay Semiconductors

Transcondutância direta - Min: 11 S

Tempo de outono: 15 ns

Tipo de Produto: MOSFET

Tempo de subida: 12 ns

Quantidade do pacote de fábrica: 3000

Subcategoria: MOSFETs

Tempo de atraso típico para desligar: 20 ns

Tempo de atraso típico para ligar: 5 ns

Datasheet: https://www.mouser.com/datasheet/2/427/72322-1765729.pdf

* 1 Unidade selecionada refere-se a 1 peça do Transistor.

* Despacho do material no próximo dia útil após a compra.

* Todos materiais anunciados em estoque, a pronta entrega.

Tags: CI - CIRCUITO INTEGRADO - SI2318DS - 2318DS - SI2318DST1 - SI2318D - SI 2318 DS