Transistor Bipolar BJT BC847B SMD SOT-23 NPN

Transistor Bipolar BJT BC847B

Partnumber: BC847B

Fabricante: Diodes Incorporated

Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT

Estilo de montagem: SMD/SMT

Caixa / Gabinete: SOT-23-3

Polaridade do transistor: NPN

Configuração: Single

Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 45 V

Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V

Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V

Tensão de saturação do coletor - emissor: 200 mV

Corrente do coletor DC máxima: 0.1 A

Pd - Dissipação de potência: 300 mW

Produto fT da largura de banda de ganho: 300 MHz

Temperatura operacional mínima: - 65 C

Temperatura operacional máxima: + 150 C

Série: BC847B

hFE máx. de ganho de corrente DC: 200

Altura: 1 mm

Comprimento: 3.05 mm

Tecnologia: Si

Largura: 1.4 mm

Marca: Diodes Incorporated

Tensão do coletor contínua: 0.1 A

Coletor DC/Ganho base hfe Min: 200 at 2 mA, 5 V

Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors

Datasheet: https://br.mouser.com/datasheet/2/115/ds11108-8549.pdf

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