Part Number: IRFBG30PBF
Fabricante: Vishay
Marking Code: IRFBG30PBF
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220AB-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 1 kV
Id - Corrente de drenagem contínua: 3.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 80 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tube
Configuração: Single
Série: IRFBG
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Marca: Vishay Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín: 2.1 S
Tempo de queda: 29 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 1000
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 89 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 12 ns
Datasheet: https://br.mouser.com/datasheet/2/427/91124-1768526.pdf
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Tags: IRFBG30 - IRFBG30PB
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