Simulador de Frete
- Calcular fretePart Number: IRF5802TR
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TSOP-6
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 150 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 900 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1.2 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 5.5 V
Qg - Carga na porta: 4.5 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2 W
Modo de canal: Enhancement
Configuração: Single
Altura: 1.1 mm
Comprimento: 3 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 1.5 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 0.55 S
Tempo de queda: 9.2 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 1.6 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 3000
Subcategoria: MOSFETs
Datasheet: https://br.mouser.com/datasheet/2/196/irf5802pbf-1732531.pdf
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Tags: IRF5802 - IRF5802TRPBF - IRF 5802 TR - 5802TR - 5802T - 5802