Partnumber: BCW68HE6327
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Transistores bipolares - BJT
RoHS: Detalhes
Estilo de montagem: SMD / SMT
Embalagem / Caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor- Tensão do Emissor VCEO Máx .: 45 V
Coletor - Tensão Base VCBO: 60 V
Emissor - Tensão Base VEBO: 5 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 0,7 V
Corrente máxima do coletor DC: 1 A
Pd - Dissipação de energia: 330 mW
Produto de ganho de largura de banda fT: 200 MHz
Temperatura Mínima de Operação: - 65 C
Temperatura Máxima de Operação: + 150 C
Series: BCW68
Ganho de corrente DC hFE máx .: 630
Altura: 1 mm
Comprimento: 2,9 mm
Tecnologia: Si
Largura: 1,3 mm
Marca: Infineon Technologies
Corrente de coletor contínua: 800 mA
Coletor DC / Ganho de base hfe Min: 250
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Quantidade do pacote de fábrica: 3000
Subcategoria: Transistores
Datasheet: https://www.mouser.com/datasheet/2/196/bcp54_bcp55_bcp56-539996.pdf
* 1 Unidade selecionada refere-se a 50 peças do Transistor.
* Despacho do material no próximo dia útil após a compra.
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