Simulador de Frete
- Calcular fretePart Number: PMV100ENEAR
Fabricante: Nexperia
Categoria de Produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD / SMT
Embalagem / Caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 3 A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 54 mOhms
Vgs - Tensão da fonte de porta: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão Limiar Gate-Source: 1 V
Qg - Taxa de Portão: 5,5 nC
Temperatura Mínima de Operação: - 55 C
Temperatura Máxima de Operação: + 150 C
Pd - Dissipação de energia: 4,5 W
Modo de canal: Aprimoramento
Qualificação: AEC-Q101
Configuração: Single
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: Nexperia
Transcondutância direta - Min: 9 S
Tempo de outono: 4 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 6 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 3000
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de atraso típico para desligar: 11 ns
Tempo de atraso típico para ligar: 6 ns
Datasheet: https://www.mouser.com/datasheet/2/916/PMV100ENEA-1320526.pdf
* 1 Unidade selecionada refere-se a 5 peças do Transistor.
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