Part Number: IXTQ82N25P
Marking Code: IXTQ82N25P
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 250 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 82 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 35 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg - Carga na porta: 142 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 500 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tube
Configuração: Single
Altura: 20.3 mm
Comprimento: 15.8 mm
Série: IXTQ82N25
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 4.9 mm
Marca: IXYS
Tempo de queda: 22 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 20 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 30
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 78 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 29 ns
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Tags: IXTQ82N25 - 82N25 - 82N25P - TQ82N25P - TQ82N25
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