Fabricante: Infineon
Tecnologia: Si
Encapsulamento: TO-252-3
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 31 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 65 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 42 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 110 W
Altura: 2.3 mm
Comprimento: 6.5 mm
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Largura: 6.22 mm
Transcondutância em avanço - Mín: 8 S
Tempo de queda: 63 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 66 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 39 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 14 ns
Datasheet: https://br.mouser.com/datasheet/2/196/irfr5305pbf-1732717.pdf
* 1 Unidade selecionada refere-se a 5 peças do Transistor.
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Tags: IRFR5305 - IRFR 5305 - RF5305
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