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Partnumber: FQA7N80
Marking Code: FQA7N80
Fabricante: FAIRCHILD
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-3PN-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 7.2 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 1.5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 198 W
Modo de canal: Enhancement
Configuração: Single
Altura: 20.1 mm
Comprimento: 16.2 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Largura: 5 mm
Marca: onsemi / Fairchild
Transcondutância em avanço - Mín: 6 S
Tempo de queda: 55 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 80 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 30
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 95 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 35 ns
Aliases de núm de peça: FQA7N80_NL
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Tags: CI - 7N80 - A7N80 - QA7N80 - FQA 7N80
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