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Partnumber: BCV62B
Fabricante: Nexperia
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
RoHS: Detalhes
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SOT-143B-4
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Dual
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: - 30 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 30 V
Emissor - VEBO de tensão de base: - 6 V
Corrente do coletor DC máxima: - 200 mA
Pd - Dissipação de potência: 250 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 100 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Qualificação: AEC-Q101
hFE máx. de ganho de corrente DC: 100 at 100 uA, 5 V
Altura: 1 mm
Comprimento: 3 mm
Tecnologia: Si
Largura: 1.4 mm
Marca: Nexperia
Tensão do coletor contínua: - 100 mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 220
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantidade do pacote de fábrica: 3000
Subcategoria: Transistors
Datasheet: https://br.mouser.com/datasheet/2/916/BCV62-1320105.pdf
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