Circuito Integrado FQB9N50C SMD TO-263-3

Circuito Integrado FQB9N50C

Part Number: FQB9N50C

Marking Code: FQB9N50C

Fabricante: ON Semiconductor

Categoria de produto: MOSFET

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: SMD/SMT

Caixa / Gabinete: TO-263-3

Polaridade do transistor: N-Channel

Número de canais: 1 Channel

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 9 A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 800 mOhms

Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Temperatura operacional máxima: + 150 C

Pd - Dissipação de potência: 135 W

Modo de canal: Enhancement

Configuração: Single

Altura: 4.83 mm

Comprimento: 10.67 mm

Série: QFET

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Largura: 9.65 mm

Marca: ON Semiconductor / Fairchild

Tempo de queda: 64 ns

Tipo de Produto: MOSFET

Tempo de ascensão: 65 ns

Quantidade do pacote de fábrica: 800

Subcategoria: MOSFETs

Tempo de retardo de desligamento típico: 93 ns

Tempo típico de ativação/retardo: 18 ns

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Tags: CI - TRANSISTOR - MOSFET - FQB9N50 - FQB 9N50C - DPAK - D2PAK - DPAK2 - DPAK3