Partnumber: IRF7492PBF
Marking code: F7492
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SO-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 3.7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 79 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Qg - Carga na porta: 39 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2.5 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tube
Configuração: Single
Altura: 1.75 mm
Comprimento: 4.9 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: HEXFET Power MOSFET
Largura: 3.9 mm
Marca: Infineon / IR
Tempo de queda: 14 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 13 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 27 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 15 ns
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Tags: CI - IRF7492 - F7492 - IRF 7492
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